1. Feeler: 1% vun 0 ~ 8 5℃
2. Voll Temperaturbereich (-40 ~ 125 ℃), Feeler: 2%
3. Dimensiounen kompatibel mat typesch Keramik piezoresistive Sensoren
4. Iwwerlaascht Drock: 200% FS, Burst Drock: 300% FS
5. Aarbechtsmodus: Gauge Drock
6. Ausgangsmodus: Spannungsausgang a Stroumausgang
7. Laangfristeg Stressdrift: <0,5%
1. Kommerziell Gefier Loftdrock Sensor
2. Ueleg Pressure Sensor
3. Waasser Pompel Drock Sensor
4. Loftkompressor Drock Sensor
5. Klimaanlag Drock Sensor
6. Aner Drocksensoren an Automobil- an Industriekontrollfelder
1. An dësem Betribsspannungsberäich hält d'Ausgab vum Modul eng proportional a linear Relatioun.
2. Minimum Pressure Offset: bezitt sech op d'Ausgangsspannung vum Modul am niddregsten Drockpunkt am Drockbereich.
3. Vollskala Ausgang: Bezeechnt d'Ausgangsspannung vum Modul um héchsten Drockpunkt am Drockbereich.
4. Voll-Skala Span: Definéiert als den algebraeschen Ënnerscheed tëscht den Ausgangswäerter op de Maximum a Minimum Drockpunkten am Drockbereich.
5. Genauegkeet ëmfaasst verschidde Faktoren, dorënner Linearitéitsfehler, Temperaturhysteresisfehler, Drockhysteresisfehler, Vollskala Temperaturfehler, Nulltemperaturfehler an aner verbonne Feeler.
6. Äntwertzäit: Gëtt d'Zäit un, déi et fir d'Ausgab dauert fir vun 10% op 90% vu sengem theoreteschen Wäert ze wiesselen.Offset Stabilitéit: Dëst stellt den Ausgangsoffset vum Modul duer, nodeems se 1000 Stonnen Pulsdruck an Temperaturzyklus erlieft hunn.
1. Gitt iwwer déi spezifizéiert maximal Bewäertungen kann zu Leeschtungsverschlechterung oder Apparatschued féieren.
2. Déi maximal Input- an Ausgangsstroum ginn duerch d'Impedanz tëscht der Ausgang a béide Buedem an der Energieversuergung am aktuellen Circuit festgeluegt.
D'Produkt entsprécht den folgenden EMC Testkriterien:
1) Transient Impulsinterferenz an Stroumleitungen
Basis Norm:ISO7637-2: "Deel 2: Elektresch transient Leedung nëmmen laanscht Versuergungsleitungen
Puls Nr | Stroumspannung | Funktioun Klass |
3a | -150 V | A |
3b | +150 V | A |
2) Transient Anti-Interferenz vun Signallinnen
Basis Norm:ISO7637-3: "Deel 3: Elektresch transient Iwwerdroung duerch capacitive aninduktiv Kupplung iwwer aner Linnen wéi Versuergungsleitungen
Testmodi: CCC-Modus: a = -150V, b = +150V
ICC Modus: ± 5V
DCC Modus: ± 23V
Funktiounsklass: Klass A
3) Stralungsimmunitéit RF Immunitéit-AL SE
Basis Norm:ISO 11452-2: 2004 Stroossegefierer - Komponent Testmethoden fir elektresch TS EN 60177-2 Stéierunge vun der schmuelbandstrahler elektromagnetescher Energie - Deel 2: Absorber-gezeechent geschützte Gehäuse ”
Testmodi: Low-Frequenz Horn Antenne: 400 ~ 1000MHz
Héich Gewënn Antenne: 1000 ~ 2000 MHz
Testniveau: 100V/m
Funktiounsklass: Klass A
4) Héich Strouminjektioun RF Immunitéit-BCI (CBCI)
Basis Norm:ISO 11452-4: 2005 Strooss Gefierer - Komponent Testmethoden firelektresch TS EN 60177-4 Stéierunge vun der schmuelbandstrahler elektromagnetescher Energie - Deel 4:Bulk aktuell Sprëtz( BCI)
Frequenzbereich: 1 ~ 400 MHz
Injektiounssondepositiounen: 150 mm, 450 mm, 750 mm
Testniveau: 100mA
Funktiounsklass: Klass A
1) Transfert Funktioun
VERUS= Vs× ( 0,00066667 × PIN+0,1) ± (Drockfehler × Temperaturfehlerfaktor × 0,00066667 × Vs) wou Vsass de Modul Fourniture Volt Wäert, Eenheet Volt.
Den PINass den Inletdruckwäert, d'Eenheet ass KPa.
2) Input an Output Charakteristiken Diagramm(VS= 5 Vdc, T = 0 bis 85 ℃)
3) Temperatur Feeler Faktor
Notiz: Den Temperaturfehlerfaktor ass linear tëscht -40 ~ 0 ℃ an 85 ~ 125 ℃.
4) Drock Feeler Limite
1) Drock Sensor Uewerfläch
2) Precautiounen fir Chip Notzung:
Wéinst dem eenzegaartegen CMOS Fabrikatiounsprozess a Sensorverpackung, déi an der Konditiounsschaltung vum Chip benotzt gëtt, ass et vital fir potenziell Schued vu statesche Elektrizitéit während der Assemblée vun Ärem Produkt ze vermeiden.Halt déi folgend Considératiounen am Kapp:
A) Etabléiert en antistatesche Sécherheetsëmfeld, komplett mat antistatesche Workbenches, Dëschmatten, Buedemmatten, a Bedreiwer Handgelenk.
B) Assuréieren d'Grondlag vun Tools an Ausrüstung;betruecht d'Benotzung vun engem antistatesche Lötstéck fir manuell Löt.
C) Benotzt antistatesch Transferboxen (Notéiert datt Standard Plastik- a Metallbehälter antistatesch Eegeschafte fehlen).
D) Wéinst der Verpackungseigenschaften vum Sensorchip, vermeit d'Benotzung vun Ultraschall-Schweißprozesser an der Fabrikatioun vun Ärem Produkt.
E) Maacht virsiichteg wärend der Veraarbechtung fir d'Loftinnleeë vum Chip ze vermeiden.